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| 원래 장소 | 중국 |
| 브랜드 이름 | ZMSH |
| 인증 | rohs |
| 모델 번호 | SIC010 |
터미널 애플리케이션 층의 관점으로부터, 탄화 규소 소재는 거대 시장 잠재력으로, 고속 철도와 자동차 전자 공학, 스마트 그리드, 광기전성 인버터, 산업적이 전자기계적이, 데이터 센터, 가정용 린네트류 제품, 가전제품, 5G 통신, 차세대 화면과 다른 분야에서 다양한 응용을 가지고 있습니다. 적용의 관점에서, 그것은 저전압과 고압과 고전압계로 분할됩니다 :
저전압 분야
주로 PFC와 전원 공급기와 같은 약간의 가전제품을 목표로 삼기 ; 예를 들면, 샤오미와 화웨이는 갈륨 나이트라이드 장치를 사용하여 고속 충전기에 착수했습니다.
고압 분야
주로 자동차 전자 공학과 철도 운송과 3300V 넘게의 전압과 전력망 시스템에서. 예를 들면, 테슬라는 모델을 3를 이용하여, 탄화 규소 장치를 사용하기 위해 일찍 자동차 제조사였습니다. 매체와 저전압의 분야에서, 탄화규소는 장려되고 시장에 적용되는 매우 성숙한 다이오드와 MOSFET 제품을 가지고 있습니다.
고전압계
탄화규소는 고유 장점을 가집니다. 그러나 지금까지, 고전압장에서 착수된 숙성된 제품이 없었고 세계가 연구 개발의 단계에 있습니다.
전기 자동차는 탄화규소에 대한 최고 응용 시나리오입니다. 토요타의 전기 구동 모듈 (전기 자동차의 핵심 구성 요소)은 50%까지 탄화 규소 장치의 크기를 줄이거나 실리콘과 비교하여 더 기반을 둔 IGBT와 에너지 밀도가 실리콘 기반을 둔 IGBT의 그것 보다 또한 휠씬 더 높습니다. 이것은 많은 제조사들이 왜 탄화규소를 사용하는 경향이 있는지 또한 이유이며, 그것이 자동차에서 부품의 설계를 최적화하고 더 많은 공간을 저장할 수 있습니다.
물성
폴리타입 결정 구조
열 지중 (n형 ; 0.020 Ω*cm)
레티스는 단결정 4H를 매개변수화합니다
298 Ｋ에 있는 cm 오우 Ｋ와 298 Ｋ c~3.7에 있는 cm 오우 Ｋ와 육각 a~4.2 ; a=3.073 c=10.053 A
지원받는 지름 2는 ~8inch로 조금씩 움직입니다 ; 100 mm*와 150 밀리미터
밴드갭 3.26 eV
열전도율 (HPSI) :298 Ｋ에 있는 cm 오우 Ｋ와 a~4.9 ;298 Ｋ에 있는 cm 오우 Ｋ와 c~3.9
모스 경도 9.2 ;
탄화규소의 장점
더 전통적 실리콘 기판보다 탄화규소를 사용하는 것에게 많은 장점이 있습니다. 주요 이점 중 하나는 그것의 견고성입니다. 이것은 고속도, 고온과 / 또는 높은 전압 적용에서, 물질 여러 가지 장점을 줍니다. 탄화 규소 웨이퍼는 고열 전도성을 가지고 있으며, 그것이 그들이 잘 열을 하나 포인트에서 또 다른 것으로 이동시킬 수 있다는 것을 의미합니다. 이것은 그것의 전기 전도도와 궁극적으로 소형화, SIC 웨이퍼로 전환하는 공통 목표 중 하나를 향상시킵니다.
실리콘 카바이드 기판은 또한 열팽창을 위해 낮은 계수를 가지고 있습니다. 열팽창은 물질이 확대하는 양과 방향이거나 그것으로서의 계약이 뜨거워지거나, 냉각됩니다. 그것이 뜨거워진 것처럼 가장 보통 설명은 그것이 그것이 식은 것처럼 확대되고 줄어 들고 있는 대부분의 금속의 상대방을 행동할 지라도 얼음입니다. 열팽창을 위한 탄화규소의 낮은 계수는 가열되거나 냉각된 것처럼 그것이 크기 또는 모양에서 의미 심장하게 변하지 않으며, 그것이 단일 칩 위에 소형 장치와 패킹 많은 트랜지스터 안으로 맞춤을 위해 그것을 완전하게 하는 것을 의미합니다.
이러한 기판의 또 다른 주요 이점은 열 충격에 대한 그들의 고저항체입니다. 이것은 그들이 신속히 깨지거나 부서질 것 없이 온도를 변경할 수 있는 능력을 갖춘다는 것을 의미합니다. 그것이 전통적 벌크 Si와 비교하여 탄화규소의 수명과 성능을 향상시키는 또 다른 어려움 특성인 것처럼 장치를 제조할 때 이것은 명백한 장점을 발생시킵니다.
온도내력의 위에, 그것은 매우 오래가는 기판이고, 800' Ｃ까지의 온도에서 산, 알칼리 또는 용융염과 반응하지 않습니다. 이것은 그들의 애플리케이션과 더 나은 보조장치에서 이러한 기판 다기능성에게 밖에 벌크 Si를 다수의 애플리케이션에서 수행하기 위한 그들의 능력을 줍니다.
고온에 있는 그것의 강도는 또한 안전하게 그것이 1600년' Ｃ 동안 고온에 작동할 수 있게 허락합니다. 이것은 사실상 어떠한 고온 응용을 위해 적당한 기판로 만듭니다.
4H-와 6H- SiC는 각각 50.8 밀리미터 (2 )와 200 밀리미터 (8 )의 지름과 반도체 물질입니다. 그들 둘다는 N/Nitrogen-doped 이고, 본질적 / HPSI입니다.
6H-SiC의 저항률이 1E7 ohm*cm보다 더 크는 동안 0.015 내지 0.028 ohm*cm의 4H-SiC 범위의 저항률. SiC의 양쪽 타입의 두께는 250 um 내지 15,000 um (15mm) 입니다. 그들은 둘다 단일 또는 양측 사이드 피연마면 마무리, 4H-SiC를 위한 ABCB와 6H-SiC를 위한 ABCACB의 퇴적 순서를 가지고 있습니다.
유전체 상수는 6H-SiC를 위해 4H-SiC와 9.66을 위해 9.6입니다. 4H-SiC의 전자 이동도는 6H-SiC를 위해 800 cm2/V*S와 400 cm2/V*S입니다. 마침내, 양쪽은 3.21 · 103 kg/m3의 비중을 가지고 있습니다.
ZMSH SIC010 SiC 기판은 고강도와 고온저항과 반도체 소자 소재의 신형입니다. 그것은 우수한 성능으로 인해 넓게 반도체 산업에서 사용됩니다. 주문 제작된 크기 탄화실리콘 칩, 4H-N SIC 웨이퍼와 맞춘 크기판으로, ZMSH SIC010 SiC 기판은 반도체 소자 진행의 개발에 쓸 이상적인 소재가 되었습니다.
ZMSH SIC010 SiC 기판의 재료는 400MPa 이상의 인장 강도와 SiC 단결정입니다. 그것은 λ/10@632.8nm의 높은 평탄성을 가지고 있고 크기가 고객 요구 사항에 따라 맞춤화될 수 있습니다. 최소 명령량은 10대 pc이고 가격이 발주량을 기반으로 합니다. 패키징은 주문 제작된 플라스틱 박스이고 배달 시간이 30 일 내에 포함됩니다. 지불 기간은 전신환이고 공급 능력이 1000개 pc / 달입니다.
ZMSH SIC010 SiC 기판은 넓게 파워 전자 장치, 마이크로파 통신, 광 전자 공학과 항공 우주와 같은 다양한 분야에서 사용됩니다. 그것은 좋은 공연과 신뢰성과 고정밀 전자 부품의 제조에 쓸 이상적인 소재입니다. 우수한 성능으로, ZMSH SIC010 SiC 기판은 로에스에 의해 증명되고, 넓게 고객들에 의해 인지되었습니다.
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