2 인치 3 인치 4 인치 6은 낮은 EPD와 앤형 GE 게르마늄웨이퍼로 조금씩 움직입니다

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Ge 웨이퍼

게르마늄은 반도체 디바이스와 적외선 광학적 장치를 만들기 위한 물질입니다. 그것은 고체 물리학과 고체 상태 전자의 개발에 중요한 역할을 합니다. 게르마늄은 5.32g/cm 3의 용융 밀도를 가지고 있습니다, 게르마늄 화확적 안정성의 가는 뿔뿔이 흩어진 금속이 실온에, 그러나 600~700 Ｃ에 공기 또는 수증기와 서로 작용하지 않을 때 게르마늄이 분류될 수 있습니다, 산화게르마늄이 빨리 발생됩니다. 염산과 함께 일하고 황산을 희석하지 않습니다. 진한 황산이 가열될 때, 게르마늄은 천천히 소실될 것입니다. 질산과 왕수에서, 게르마늄은 쉽게 해산됩니다. 게르마늄에 대한 알카리 용액의 효과는 매우 약하지만, 그러나 공기에서 녹는 알칼리가 게르마늄이 빨리 소실되게 할 수 있습니다. 게르마늄은 탄소와 함께 일하지 않고 따라서 그것이 흑연도가니에서 녹고, 탄소로 오염되지 않을 것입니다. 게르마늄은 전자 이동도, 홀 이동성과 기타와 같은 좋은 반도체 특성을 가집니다. 게르마늄의 개발은 여전히 큰 잠재력을 가집니다.

상술

상품 표시부

성장법

게르마늄 기판의 성장법은 다음 단계를 포함합니다 : 지지 기판을 제공할 때, 지지 기판은 결정 재료입니다 ; 첫번째 게르마늄 크리스탈층은 지지 기판의 표면적으로 첫번째 온도 에피택시에 의해 성장됩니다. 두번째 게르마늄 크리스탈층은 첫번째 게르마늄 크리스탈층의 표면적으로 두번째 온도 에피택시에 의해 성장되고 첫번째 온도가 두번째 온도 보다 낮습니다. 현재 발명의 장점은 일종의 저온 게르마늄 에피텍셜 성장 공정을 제시하는 것입니다, 무엇보다도, 낮은, 2차원적 생육 특성과 완전한 완화, 저온에 있는 게르마늄층의 이 박막이 가능성이 높은 여러 가지 단점을 가지고 있는 에피 성장율이 인 게르마늄층, 낮은 온도 상승 게르마늄의 층이 느슨하고 전위 제거, 다음에, 그리고 나서 높은 온도 상승 게르마늄 에피택셜 층의 층, 층 성장 속도, 높은 결정 질량과 단일 결정 게르마늄층과 완전한 완화가 획득될 수 있는 것을 강조합니다.