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실리콘 카바이드 에피타크시의 응용 및 개발 추세

2024-04-12

이 발행부에서, 우리는 실리콘 탄화화물 에피타크시의 응용, 준비 과정, 시장 규모 및 개발 추세에 대해 깊이 연구합니다. 에피타시 (Epitaxy) 는 실리콘 카비드 기판 표면에 더 높은 품질의 단일 결정 물질의 층이 자라는 것을 의미합니다.그리고 선도성 실리콘 카바이드 기판의 표면에 실리콘 카바이드 에피타크시 층의 성장, 균일성 에피타크시라고 합니다. 반 단열된 SIC 기판에 갈륨 나트라이드 에피타크시 층의 성장은 헤테로 에피타크시라고 불립니다. 에피타크시의 크기도 기판과 동일합니다.주로 2인치 (50mm), 3 인치 (75mm)...
SiC는 전기차의 범위를 확장하는 데 도움이됩니다

2023-10-19

SiC는 전기차의 범위를 확장하는 데 도움이 됩니다 환경 친화적이고 지속가능한 운송에 대한 세계적 수요가 증가함에 따라전기 자동차는 배출량을 줄이고 석유 의존도를 줄이기 위한 해결책으로 점점 더 인기를 끌고 있습니다.그러나 전기차의 범위는 핵심 문제였습니다. 이 문제를 해결하기 위해새로운 세대의 반도체 재료인 실리콘 카비드 (SiC) 는 전기차의 범위를 확장하는 데 중요한 역할을 하고 있습니다.. 실리콘 탄화물은 전기 자동차 산업에 이상적인 많은 우수한 특성을 가진 고급 반도체 재료입니다.다음은 실리콘 탄화물이 전기차의 범위를 확장...
SiC 에피택셜 웨이퍼의 생산과 애플리케이션

2023-08-21

SiC 탄화규소는 탄소로 구성된 화합물 반도체 소재고 고온, 고주파, 고전력과 고전압 장치를 만들기 위한 이상적인 소재 중 하나인 실리콘 요소입니다. 종래 실리콘 물질 (Si)와 비교하여, 탄화규소 (SiC)의 밴드갭 폭은 실리콘의 것보다 3배입니다 ; 열전도율은 실리콘의 것보다 4-5 배입니다 ; 항복 전압은 실리콘의 것보다 8-10 배입니다 ; 전자 포말 드리프트 레이트는 실리콘의 것보다 2-3 배입니다. 탄화규소 원료의 핵심 장점은 안에 반영됩니다 :1) 높은 전압 저항 특성 : 더 작은 제품 설계와 더 높은 효율의 결과를 ...
반도체의 4 세대가 도달했습니다, Ga2O3은 SiC를 대체할 수 있습니까 ?

2023-08-16

수출 규제 하에 핵심 반도체 원료2023년 8월 1일에, 상무부와 중국의 상품이용의 총괄경영층은 공식적으로 반도체 원료 갈륨과 게르마늄에 대한 수출 규제를 구현했습니다. 이 움직임에 관한 산업에서 다양한 의견이 있고 그것이 석판 인쇄 기계의 수출에 대한 네델란드 ASML의 업그레이된 통제에 응하여 있다고 많은 사람들이 믿습니다. 그러나 안에 2022년 8월. 미국은 중국에 그것의 금지된 수출 규제 명단에서 고청정도 반도체 물질 산화갈륨을 포함했습니다. 미 상무성의 상무성산하 산업안전국 (BIS)는 어느 것이 새로운 수출 규제 안으...
SiC 크리스털을 성장시키기 위한 고순도 탄화 규소 SiC 분말을 생산하는 방법?

2023-08-16

01허베이 통광 반도체 주식회사요즈음, 주로 고청정도 탄화 규소 분말을 합성하기 위한 일반적으로 사용된 기술은 말하자면 고온 자전 합성법인 고청정도 실리콘 파우더와 고청정도 탄소 파우더을 고온 고체 상태 종합을 채택합니다. SiC 분말을 전통적 자체 전파되는 종합에서 고질소 불순물 농도의 문제를 해결하기 위해, 허베이 통광 반도체 Co., Ltd．는 Sic 단 결정을 격리하여 고청정도 세미의 성장을 위해 사용될 수 있는 저질소 불순물 농도 탄화규소 분말 합성법을 발명했습니다. 이 방법은 고온에 질소 요소와 화학 반응을 겪는 질소 ...

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